GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SIC 650V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 103.36 EUR |
| 10+ | 95.53 EUR |
| 25+ | 92.59 EUR |
| 100+ | 88.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 150A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote GD2X150MPS06N nach Preis ab 89.16 EUR bis 104.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X150MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
| GD2X150MPS06N | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X150MPS06N Diode modules |
Produkt ist nicht verfügbar |