GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 56.88 EUR |
| 10+ | 52.25 EUR |
| 30+ | 50.53 EUR |
| 100+ | 48.01 EUR |
| 250+ | 46.75 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 120A SOT-227 SIC SCHOTTKY, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote GD2X60MPS06N nach Preis ab 57.97 EUR bis 71.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X60MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: 650V 120A SOT-227 SIC SCHOTTKYPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
| GD2X60MPS06N | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X60MPS06N Diode modules |
Produkt ist nicht verfügbar |