GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote GD2X60MPS06N nach Preis ab 39.95 EUR bis 58.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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GD2X60MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
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GD2X60MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X60MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X60MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
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