GD300HFU120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Dauer-Kollektorstrom: 395
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3
Verlustleistung Pd: 1.984
Verlustleistung: 1.984
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 395
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details GD300HFU120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3, Dauer-Kollektorstrom: 395, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3, Verlustleistung Pd: 1.984, Verlustleistung: 1.984, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 395, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD300HFU120C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| GD300HFU120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C2 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: NPT Ultra Fast IGBT Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD300HFU120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C2 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: NPT Ultra Fast IGBT Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |