GD300HFX170C6S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details GD300HFX170C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85, Dauer-Kollektorstrom: 493, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85, Verlustleistung Pd: 1.829, Verlustleistung: 1.829, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 493, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD300HFX170C6S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.7kV Technology: Trench FS IGBT Electrical mounting: Press-in PCB; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD300HFX170C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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