
GD300HFX170C6S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD300HFX170C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85, Dauer-Kollektorstrom: 493, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85, Verlustleistung Pd: 1.829, Verlustleistung: 1.829, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 493, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD300HFX170C6S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
GD300HFX170C6S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFX170C6S IGBT modules |
Produkt ist nicht verfügbar |