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GD300HFX65C2S

GD300HFX65C2S STARPOWER


3123035.pdf Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 343
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 819
Verlustleistung: 819
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 343
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details GD300HFX65C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD300HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45, Dauer-Kollektorstrom: 343, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45, Verlustleistung Pd: 819, Verlustleistung: 819, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 343, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).

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GD300HFX65C2S Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFX65C2S IGBT modules
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