GD300HFX65C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 343
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 819
Verlustleistung: 819
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 343
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details GD300HFX65C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45, Dauer-Kollektorstrom: 343, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45, Verlustleistung Pd: 819, Verlustleistung: 819, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 343, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD300HFX65C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| GD300HFX65C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Technology: Trench FS IGBT Case: C2 62mm Collector current: 300A Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD300HFX65C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Topology: IGBT half-bridge Technology: Trench FS IGBT Case: C2 62mm Collector current: 300A Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
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