GD300HFX65C8SN STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C8SN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 343A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD300HFX65C8SN STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C8SN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 819W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 819W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 343A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 343A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD300HFX65C8SN
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFX65C8SN | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C8 48mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 650V Technology: Trench FS IGBT Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Anzahl je Verpackung: 16 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD300HFX65C8SN | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: C8 48mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 650V Technology: Trench FS IGBT Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor |
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