GD300HFY120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 254.6 EUR |
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Technische Details GD300HFY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 2.941kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.941kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote GD300HFY120C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD300HFY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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