GD300HFY120C6S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 1.613
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 480
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 347.73 EUR |
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Technische Details GD300HFY120C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2, Verlustleistung Pd: 1.613, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 480, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote GD300HFY120C6S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD300HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD300HFY120C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
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