GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 11+ | 6.65 EUR |
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Technische Details GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Gen IV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote GD30MPS06H nach Preis ab 6.12 EUR bis 10.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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GD30MPS06H | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD30MPS06H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
auf Bestellung 484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 3507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06H | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |