GD30MPS06H

GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.65 EUR
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Technische Details GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Gen IV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote GD30MPS06H nach Preis ab 6.12 EUR bis 10.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GD30MPS06H GD30MPS06H Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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GD30MPS06H GD30MPS06H Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+9.29 EUR
25+8.88 EUR
100+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GD30MPS06H GD30MPS06H Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H-2449885.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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Anzahl Preis
1+10.75 EUR
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30+9.20 EUR
120+8.57 EUR
270+8.18 EUR
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GD30MPS06H GD30MPS06H Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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