GD30PJX65L2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD30PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.45 V, 163 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 163W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 55A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 79.09 EUR |
| 5+ | 68.94 EUR |
| 10+ | 59.14 EUR |
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Technische Details GD30PJX65L2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD30PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.45 V, 163 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 163W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 55A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote GD30PJX65L2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD30PJX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 30A Case: L2.2 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD30PJX65L2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 30A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 30A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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