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GD35PJY120F2S STARPOWER

Name: GD35PJY120F2S
Brand: STARPOWER
SKU: 3019623-6
Price: 216.42 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 63 A, 1.7 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 63A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

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Technische Details GD35PJY120F2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD35PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 63 A, 1.7 V, 225 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 63A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote GD35PJY120F2S

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	GD35PJY120F2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 35A Case: F2.0 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GD35PJY120F2S

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: F2.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw

Produkt ist nicht verfügbar

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