GD35PJY120L3S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 301W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 110.11 EUR |
| 5+ | 95.97 EUR |
| 10+ | 82.31 EUR |
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Technische Details GD35PJY120L3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 301W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 70A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote GD35PJY120L3S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GD35PJY120L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 70A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Case: L3.0 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD35PJY120L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 70A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 70A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
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