GD3600SGY120C4S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD3600SGY120C4S - IGBT-Modul, Einfach, 4.302 kA, 1.7 V, 11.9 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 11.9kW
Verlustleistung: 11.9kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 4.302kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4.302kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details GD3600SGY120C4S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD3600SGY120C4S - IGBT-Modul, Einfach, 4.302 kA, 1.7 V, 11.9 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 11.9kW, Verlustleistung: 11.9kW, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 4.302kA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 4.302kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote GD3600SGY120C4S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD3600SGY120C4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Topology: IGBT x3 Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 3.6kA Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 7.2kA Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD3600SGY120C4S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 3.6kA
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 3.6kA
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

