GD3600SGY120C4S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD3600SGY120C4S - IGBT-Modul, Einfach, 4.302 kA, 1.7 V, 11.9 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 4.302kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 11.9kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.9kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 4.302kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
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Technische Details GD3600SGY120C4S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD3600SGY120C4S - IGBT-Modul, Einfach, 4.302 kA, 1.7 V, 11.9 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 4.302kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 11.9kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.9kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 4.302kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote GD3600SGY120C4S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| GD3600SGY120C4S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.6kA Pulsed collector current: 7.2kA Topology: IGBT x3 Anzahl je Verpackung: 8 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD3600SGY120C4S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.6kA Pulsed collector current: 7.2kA Topology: IGBT x3 |
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