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GD400HFX170C2S STARPOWER

Name: GD400HFX170C2S
Brand: STARPOWER
SKU: 338403-6
Price: 285.16 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 648
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 2.38
Verlustleistung: 2.38
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 648
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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Technische Details GD400HFX170C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD400HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85, Dauer-Kollektorstrom: 648, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85, Verlustleistung Pd: 2.38, Verlustleistung: 2.38, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 648, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).

Weitere Produktangebote GD400HFX170C2S

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	GD400HFX170C2S	STARPOWER SEMICONDUCTOR	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GD400HFX170C2S

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 400A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw

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