
GD400HFX65C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD400HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 509A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.26kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 509A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details GD400HFX65C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 509A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 1.26kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.26kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 509A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GD400HFX65C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFX65C2S IGBT modules |
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