GD400SGY120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD400SGY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65, Verlustleistung Pd: 2.083, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Einfach, DC-Kollektorstrom: 630, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD400SGY120C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD400SGY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD400SGY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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