
GD400SGY120C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD400SGY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65, Verlustleistung Pd: 2.083, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Einfach, DC-Kollektorstrom: 630, SVHC: To Be Advised.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GD400SGY120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400SGY120C2S IGBT modules |
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