GD450HFY120C6S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Dauer-Kollektorstrom: 680
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.173
Verlustleistung: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 381.3 EUR |
| 5+ | 303.45 EUR |
| 10+ | 245.09 EUR |
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Technische Details GD450HFY120C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2, Dauer-Kollektorstrom: 680, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2, Verlustleistung Pd: 2.173, Verlustleistung: 2.173, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 680, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote GD450HFY120C6S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD450HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 900A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD450HFY120C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
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