GD450HTY120C7S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 29
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details GD450HTY120C7S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 2.173, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Anzahl der Pins: 29, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 680, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD450HTY120C7S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD450HTY120C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 450A Case: C7 Electrical mounting: Press-in PCB; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD450HTY120C7S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 450A
Case: C7
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 450A
Case: C7
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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