GD50FSY120L3S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD50FSY120L3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 100A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD50FSY120L3S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| GD50FSY120L3S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: L3.2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 16 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD50FSY120L3S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: L3.2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |