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GD50FSY120L3S

GD50FSY120L3S STARPOWER

3789539.pdf
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 380W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Technische Details GD50FSY120L3S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 380W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 100A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GD50FSY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: L3.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FSY120L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: L3.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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