GD600HFY120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 3.409kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.409kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 1kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD600HFY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 3.409kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.409kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 1kA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 1kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD600HFY120C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| GD600HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 600A Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD600HFY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

