GD600HFY120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 3.409kW
Verlustleistung: 3.409kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 1kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 454.82 EUR |
| 5+ | 389.08 EUR |
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Technische Details GD600HFY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 3.409kW, Verlustleistung: 3.409kW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 1kA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 1kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote GD600HFY120C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD600HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 1.2kA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD600HFY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 1.2kA
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 1.2kA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

