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GD80TLQ120F1S STARPOWER


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Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 450W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 110A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+113.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Technische Details GD80TLQ120F1S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 450W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 110A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote GD80TLQ120F1S

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GD80TLQ120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; F1.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: F1.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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GD80TLQ120F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; F1.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: F1.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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