GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.03 EUR |
| 10+ | 4.44 EUR |
| 25+ | 4.22 EUR |
| 100+ | 3.91 EUR |
| 250+ | 3.73 EUR |
| 500+ | 3.57 EUR |
| 1000+ | 3.45 EUR |
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Technische Details GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote GE10MPS06E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GE10MPS06E | Hersteller : GENESIC |
 Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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GE10MPS06E | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GE10MPS06E | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GE10MPS06E | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GE10MPS06E | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape |
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