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GF1J

GF1J EIC


gf1a_1m.pdf Hersteller: EIC
Diode Switching Si 600V 1A 2-Pin SMA T/R
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Technische Details GF1J EIC

Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 2µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: GF1J, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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GF1J GF1J Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
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GF1J GF1J Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 97500 Stücke:
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15000+0.2 EUR
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GF1J GF1J Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
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GF1J GF1J Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
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GF1J GF1J Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
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624+0.2 EUR
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GF1J GF1J Hersteller : onsemi / Fairchild GF1M_D-1810096.pdf Rectifiers 1.0a Rectifier General Purpose
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GF1J GF1J Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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GF1J GF1J Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6635 Stücke:
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GF1J GF1J Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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GF1J GF1J Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin SMA T/R
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GF1J Hersteller : GSI ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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