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GF1M

GF1M ON Semiconductor

gf1a-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin SMA T/R
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Technische Details GF1M ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

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GF1M GF1M Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin SMA T/R
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GF1M GF1M Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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GF1M GF1M Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin SMA T/R
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GF1M GF1M Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin SMA T/R
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GF1M GF1M Hersteller : onsemi / Fairchild GF1M_D-2314338.pdf Rectifiers 1.0a Rectifier General Purpose
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GF1M GF1M Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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GF1M GF1M Hersteller : ONSEMI 2303965.pdf Description: ONSEMI - GF1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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GF1M GF1M Hersteller : ONSEMI 2303965.pdf Description: ONSEMI - GF1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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GF1M GF1M Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin SMA T/R
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GF1M Hersteller : EIC Semiconductor gf1a_1m.pdf Diode Switching Si 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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GF1M GF1M
Produktcode: 59321 		ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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GF1M GF1M Hersteller : ON Semiconductor gf1a-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin SMA T/R
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GF1M Hersteller : EIC Semiconductor gf1a_1m.pdf Diode Switching Si 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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