GL34G-E3/83 Vishay General Semiconductor
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Technische Details GL34G-E3/83 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AA (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DO-213AA (GL34), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.
Weitere Produktangebote GL34G-E3/83
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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GL34G-E3/83 | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 1500ns 2-Pin DO-213AA T/R |
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GL34G-E3/83 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 1500ns 2-Pin DO-213AA T/R |
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GL34G-E3/83 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 1500ns 2-Pin DO-213AA T/R |
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GL34G-E3/83 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
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