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GL41D-E3/96

GL41D-E3/96 Vishay

bym10-xxx.pdf Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details GL41D-E3/96 Vishay

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GL41D-E3/96 GL41D-E3/96 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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GL41D-E3/96 GL41D-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1500
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GL41D-E3/96 GL41D-E3/96 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
auf Bestellung 620 Stücke:
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GL41D-E3/96 GL41D-E3/96 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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448+0.33 EUR
495+0.29 EUR
500+0.28 EUR
563+0.23 EUR
568+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 448
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GL41D-E3/96 GL41D-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor bym10-xxx.pdf Rectifiers 1 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
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4+0.77 EUR
10+0.49 EUR
100+0.37 EUR
500+0.32 EUR
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1500+0.23 EUR
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GL41D-E3/96 GL41D-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
auf Bestellung 5885 Stücke:
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23+0.79 EUR
27+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 23
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