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GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bym10-xxx.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
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Technische Details GL41Y-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GL41Y-E3/97 GL41Y-E3/97 Vishay bym10xxx.pdf Diode Switching 1.6KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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GL41Y-E3/97 GL41Y-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
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Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
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