GNP2050TEC-ZE2 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - GNP2050TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 33.8 A, 0.07 mohm, 6.4 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 6.4nC
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGAN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details GNP2050TEC-ZE2 ROHM
Description: ROHM - GNP2050TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 33.8 A, 0.07 mohm, 6.4 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 6.4nC, Bauform - Transistor: DFN8080CK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EcoGAN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07mohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GNP2050TEC-ZE2 | Hersteller : ROHM Semiconductor | GaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT |
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