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GPI65010DF56

GPI65010DF56_V2.2.pdf
Produktcode: 190207
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GPI65010DF56 GPI65010DF56 GaNPower GPI65010DF56_V2.2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GPI65010DF56 GPI65010DF56_V2.2.pdf
GPI65010DF56
Hersteller: GaNPower
Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 340 Stücke:
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