GS0650086LMRXUSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details GS0650086LMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.6nC, Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GS0650086LMRXUSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |