GS0650086LMRXUSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.34 EUR |
| 41+ | 5.71 EUR |
| 100+ | 3.72 EUR |
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Technische Details GS0650086LMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.6nC, Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote GS0650086LMRXUSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GS0650086LMRXUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 8.8A; PDFN8 Technology: GaN Case: PDFN8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.235Ω Drain current: 8.8A Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GS0650086LMRXUSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 8.8A; PDFN8
Technology: GaN
Case: PDFN8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.235Ω
Drain current: 8.8A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 8.8A; PDFN8
Technology: GaN
Case: PDFN8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.235Ω
Drain current: 8.8A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH