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GS0650182LTRXUMA1 INFINEON


Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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auf Bestellung 1950 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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14+17.27 EUR
18+12.59 EUR
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Technische Details GS0650182LTRXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.

Weitere Produktangebote GS0650182LTRXUMA1 nach Preis ab 10.26 EUR bis 24.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GS0650182LTRXUMA1 GS0650182LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144 Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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GS0650182LTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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