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GS0650186LRMRXUSA1

GS0650186LRMRXUSA1 Infineon Technologies

Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-018-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details GS0650186LRMRXUSA1 Infineon Technologies

Description: GS-065-018-6-LR-MR, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote GS0650186LRMRXUSA1 nach Preis ab 6.26 EUR bis 15.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: GS-065-018-6-LR-MR
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Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
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Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
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GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 23A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.27 EUR
20+11.88 EUR
25+8.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-018-6-LR-MR
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Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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GS0650186LRMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
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