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GS61008T-MR

GS61008T-MR Infineon Technologies

GS61008T_DS_Rev_200402-3440263.pdf Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
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Technische Details GS61008T-MR Infineon Technologies

Description: GS61008T-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote GS61008T-MR nach Preis ab 5.74 EUR bis 15.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GS61008T-MR GS61008T-MR Hersteller : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS61008T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
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GS61008T-MR Hersteller : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R
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GS61008T-MR GS61008T-MR Hersteller : GaN Systems gs61008t-ds-rev-200402.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
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FET Type: N-Channel
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