GS66504BMRXUSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 22.32 EUR |
| 50+ | 20.82 EUR |
| 100+ | 19.3 EUR |
| 250+ | 18.91 EUR |
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Technische Details GS66504BMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.3nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote GS66504BMRXUSA1 nach Preis ab 18.91 EUR bis 34.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GS66504BMRXUSA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS66504BMRXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 8+ | 34.89 EUR |
| 9+ | 28.29 EUR |
| 10+ | 22.32 EUR |
| 50+ | 20.82 EUR |
| 100+ | 19.3 EUR |
| 250+ | 18.91 EUR |

