Produkte > GAN SYSTEMS > GS66506T-E01-MR
GS66506T-E01-MR

GS66506T-E01-MR GaN Systems

GS66506T-DS-Rev-180213-1314211.pdf
Hersteller: GaN Systems
MOSFET 650V 22A E-Mode GaN
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details GS66506T-E01-MR GaN Systems

GaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled.

Weitere Produktangebote GS66506T-E01-MR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
GS66506T-E01-MR GS66506T-E01-MR Infineon Technologies GS66506T-DS-Rev-200402.pdf GaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-E01-MR GS66506T-DS-Rev-200402.pdf
GS66506T-E01-MR
Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH