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GS66506T-E01-MR

GS66506T-E01-MR Infineon Technologies

GS66506T-DS-Rev-200402.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
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Technische Details GS66506T-E01-MR Infineon Technologies

GaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled.