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GS66506T-MR

GS66506T-MR GaN Systems Inc

gs66506t-ds-rev-200402.pdf Hersteller: GaN Systems Inc
Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
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Technische Details GS66506T-MR GaN Systems Inc

MOSFET 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled.

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GS66506T-MR GS66506T-MR Hersteller : GaN Systems GS66506T_DS_Rev_200402-1837976.pdf MOSFET 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
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