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GS66506TTRXUMA1 INFINEON


Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.5nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+63.9 EUR
5+50.66 EUR
10+39.84 EUR
50+35.75 EUR
100+32.96 EUR
250+32.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Technische Details GS66506TTRXUMA1 INFINEON

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GS66506TTRXUMA1 GS66506TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235 Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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GS66506TTRXUMA1 Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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