GS8161Z18DD-200 GSI TECHNOLOGY
Hersteller: GSI TECHNOLOGY
FPBGA 165/C°/18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM GS8161Z18
Anzahl je Verpackung: 144 Stücke
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Technische Details GS8161Z18DD-200 GSI TECHNOLOGY
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,5, 3,3, Об. пам. = 18 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 18, Тдост/Частота = 200 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: BGA-165 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| GS8161Z18DD-200 | GSI Technology |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,5, 3,3, Об. пам. = 18 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 18, Тдост/Частота = 200 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: BGA-165 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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GS8161Z18DD-200 | GSI Technology |
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M |
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| GS8161Z18DD-200 |
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Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,5, 3,3, Об. пам. = 18 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 18, Тдост/Частота = 200 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: BGA-165 Од. вим: шт
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SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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