GSIB2580N-M3/45 Vishay General Semiconductor
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Technische Details GSIB2580N-M3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GSIB-5S, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Weitere Produktangebote GSIB2580N-M3/45
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GSIB2580N-M3/45 | Hersteller : Vishay |
 Diode Rectifier Bridge Single 800V 3.5A 4-Pin Case GSIB-5S Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GSIB2580N-M3/45 | Hersteller : Vishay |
Diode Rectifier Bridge Single 800V 3.5A 4-Pin Case GSIB-5S Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GSIB2580N-M3/45 | Hersteller : VISHAY |
GSIB2580N-M3/45 Flat single phase diode bridge rectif. |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GSIB2580N-M3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GSIB-5S Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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