GSP65R13HB-EVB Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 865.8 EUR |
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Technische Details GSP65R13HB-EVB Infineon Technologies
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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GSP65R13HB-EVB | Hersteller : GaN Systems |
Power Management IC Development Tools 650V/13mOhm, 4-7kW Paralleled GaN High Performance IMS1 Half Bridge with Gate Drive |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GSP65R13HB-EVB | Hersteller : GaN Systems |
GaN E-HEMT Half Bridge Evaluation Module 650V/13mOhm |
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