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GT010N10TL

GT010N10TL Goford Semiconductor

GT010N10TL.pdf
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,370A,400W,TOLL-
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Technische Details GT010N10TL Goford Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 370A; 400W; TOLL, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 370A, Power dissipation: 400W, Case: TOLL, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 0.22µC, Kind of channel: enhancement, Technology: SGT.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT010N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT010N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 370A; 400W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 370A
Power dissipation: 400W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
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GT010N10TL GT010N10TL.pdf
Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 370A; 400W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 370A
Power dissipation: 400W
Case: TOLL
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Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
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