Technische Details GT100N12D5 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; DFN5x6-8, Case: DFN5x6-8, Power dissipation: 100W, Gate charge: 45nC, Polarisation: unipolar, Technology: SGT, Drain current: 70A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 120V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote GT100N12D5 nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GT100N12D5 | Goford Semiconductor |
 Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3. |
auf Bestellung 9965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GT100N12D5 | GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT100N12D5 |
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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
auf Bestellung 9965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.31 EUR |
| 10+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 2000+ | 1.54 EUR |
| GT100N12D5 |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.71 EUR |