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GT30J341,Q

GT30J341,Q Toshiba

GT30J341_datasheet_en_20140107-1649734.pdf
Hersteller: Toshiba
IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN MOQ=50 V=600 F=60HZ
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Technische Details GT30J341,Q Toshiba

Description: IGBT 600V 59A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Td (on/off) @ 25°C: 80ns/280ns, Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 59 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 230 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT30J341,Q GT30J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341_datasheet_en_20140107.pdf?did=12994&prodName=GT30J341 Description: IGBT 600V 59A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/280ns
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
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GT30J341,Q GT30J341,Q Toshiba 1187docget.jsplangenpidgt30j341typedatasheet.jsplangenpidgt30j341type.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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GT30J341,Q GT30J341,Q Toshiba 1187docget.jsplangenpidgt30j341typedatasheet.jsplangenpidgt30j341type.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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GT30J341,Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 59A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/280ns
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Hersteller: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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