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GT30N135SRA,S1E(S

GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA


3685631.pdf Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Technische Details GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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Preis ohne MwSt
GT30N135SRA,S1E(S Hersteller : Toshiba SOFT SWITCHING IGBT WITH DIODE
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