GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
Verlustleistung: 348W
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Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Technische Details GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V, Verlustleistung: 348W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote GT30N135SRA,S1E(S nach Preis ab 3.76 EUR bis 4.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| GT30N135SRA,S1E(S | Toshiba | IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V |
auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT30N135SRA,S1E(S |
Hersteller: Toshiba
IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V
IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 4.62 EUR |
| 50+ | 4.38 EUR |
| 100+ | 4.13 EUR |
| 250+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.76 EUR |