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GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
Produktcode: 152398
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba 3745464538433633334637383142344535444237373831364143393441423142.pdf IGBTs IGBT for Soft Switching Apps
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+7.5 EUR
100+6.5 EUR
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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA 3622412.pdf Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.11 EUR
21+11.3 EUR
100+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 91 Stücke:
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GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba
IGBTs IGBT for Soft Switching Apps
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AnzahlPrivatkunde
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GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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