GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Technische Details GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A.
Weitere Produktangebote GT50JR22(STA1,E,S) nach Preis ab 3.99 EUR bis 11.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
IGBT Transistors IGBT for Soft Switching Apps |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A |
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GT50JR22(STA1,E,S) Produktcode: 152398 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |
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.jpg "GT50JR22(STA1,E,S)") |
GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 230 W |
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