Produkte > Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule > GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
Produktcode: 152398
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote GT50JR22(STA1,E,S) nach Preis ab 5.46 EUR bis 12.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22 Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba 3745464538433633334637383142344535444237373831364143393441423142.pdf IGBTs IGBT for Soft Switching Apps
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.16 EUR
10+10.16 EUR
100+8.15 EUR
500+7.25 EUR
1000+6.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA 3622412.pdf Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR22(STA1,E,S) 3745464538433633334637383142344535444237373831364143393441423142.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba
IGBTs IGBT for Soft Switching Apps
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.16 EUR
10+10.16 EUR
100+8.15 EUR
500+7.25 EUR
1000+6.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR22(STA1,E,S) 3622412.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH