GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 44A
Pulsed collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 7.46 EUR |
| 17+ | 4.23 EUR |
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Technische Details GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GT50JR22(STA1,E,S) nach Preis ab 4 EUR bis 10.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Power dissipation: 115W Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 44A Pulsed collector current: 100A Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
IGBTs IGBT for Soft Switching Apps |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 600V 50A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 230 W |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GT50JR22(STA1,E,S) Produktcode: 152398
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
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