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GT60M303(Q) Toshiba Semiconductor and Storage

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
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Technische Details GT60M303(Q) Toshiba Semiconductor and Storage

IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT60M303(Q) GT60M303(Q) Toshiba docget.jsp?did=16726&prodName=GT60M303 IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench
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GT60M303(Q)
Hersteller: Toshiba
IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench
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