Technische Details GT60M303(Q) Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL.
Weitere Produktangebote GT60M303(Q)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| GT60M303(Q) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 900V 60A 170W TO3P LH |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
GT60M303(Q) | Hersteller : Toshiba |
IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench |
Produkt ist nicht verfügbar |