GT60M303(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details GT60M303(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GT60M303(Q) | Hersteller : Toshiba |
IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench |
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