Technische Details GT60M303(Q) Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL.
Weitere Produktangebote GT60M303(Q)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| GT60M303(Q) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 900V 60A 170W TO3P LH |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GT60M303(Q) | Hersteller : Toshiba |
IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench |
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