Weitere Produktangebote GT60N321[Q]
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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GT60N321(Q) | Hersteller : Toshiba |
 Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL |
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| GT60N321(Q) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH Packaging: Tube Package / Case: TO-3PL Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3P(LH) Td (on/off) @ 25°C: 330ns/700ns Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 170 W |
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GT60N321(Q) | Hersteller : Toshiba |
IGBT Transistors IGBT 1000V 60A |
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