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GT60N321[Q]

Produktcode: 58518
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IGBT 1000V 60A TO-3P
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Td (on/off) @ 25°C: 330ns/700ns
Supplier Device Package: TO-3P(LH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PL
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
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GT60N321(Q) GT60N321(Q) Toshiba toshiba america electronic components inc_dst_gt60-1209292.pdf IGBT Transistors IGBT 1000V 60A
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GT60N321(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1000V 60A TO-3P
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Td (on/off) @ 25°C: 330ns/700ns
Supplier Device Package: TO-3P(LH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PL
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
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GT60N321(Q) toshiba america electronic components inc_dst_gt60-1209292.pdf
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Hersteller: Toshiba
IGBT Transistors IGBT 1000V 60A
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