GWA40MS120DF4AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
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Technische Details GWA40MS120DF4AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - GWA40MS120DF4AG - IGBT, 80 A, 1.95 V, 536 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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GWA40MS120DF4AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - GWA40MS120DF4AG - IGBT, 80 A, 1.95 V, 536 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |