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H11D2

H11D2 Vishay Semiconductors

h11d1.pdf H11D1.pdf H11D1,2,3,4, 4N38pdf.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
Transistor Output Optocouplers HV Phototransistor
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Technische Details H11D2 Vishay Semiconductors

Description: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm), Output Type: Transistor with Base, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 100°C, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.1V, Input Type: DC, Current - Output / Channel: 100mA, Voltage - Isolation: 5300Vrms, Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA, Vce Saturation (Max): 400mV, Supplier Device Package: 6-DIP, Voltage - Output (Max): 300V, Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 6µs, Rise / Fall Time (Typ): 2.5µs, 5.5µs, Number of Channels: 1, Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
H11D2 H11D2 Vishay Semiconductor Opto Division h11d1.pdf Description: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.1V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 6µs
Rise / Fall Time (Typ): 2.5µs, 5.5µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
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H11D2 Fairchild h11d1.pdf H11D1.pdf H11D1,2,3,4, 4N38pdf.pdf Single-Channel CTR 20% Vce 300V Uiso 5,3kV Phototransistor output H11D2 OOH11D2
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H11D2 Vishay Semiconductor H11D1-D4_Vishay.pdf Оптрон із транзисторним виходом (з базою), Uвих, В = 300, Uiso, кВ = 5,3, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Iвих, мА = 100, Тексп, °С = -55...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
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H11D2
Hersteller: Vishay Semiconductor Opto Division
Description: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.1V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 6µs
Rise / Fall Time (Typ): 2.5µs, 5.5µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
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H11D2 h11d1.pdf H11D1.pdf H11D1,2,3,4, 4N38pdf.pdf
Hersteller: Fairchild
Single-Channel CTR 20% Vce 300V Uiso 5,3kV Phototransistor output H11D2 OOH11D2
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H11D2 h11d1.pdf H11D1.pdf H11D1,2,3,4, 4N38pdf.pdf
Hersteller: Fairchild
Single-Channel CTR 20% Vce 300V Uiso 5,3kV Phototransistor output H11D2 OOH11D2
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H11D2 h11d1.pdf H11D1.pdf H11D1,2,3,4, 4N38pdf.pdf
Hersteller: Fairchild
Single-Channel CTR 20% Vce 300V Uiso 5,3kV Phototransistor output H11D2 OOH11D2
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H11D2 H11D1-D4_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductor
Оптрон із транзисторним виходом (з базою), Uвих, В = 300, Uiso, кВ = 5,3, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Iвих, мА = 100, Тексп, °С = -55...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
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