HAS530M12BM3 Wolfspeed
Hersteller: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1395.5 EUR |
| 10+ | 1173.27 EUR |
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Technische Details HAS530M12BM3 Wolfspeed
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).
Weitere Produktangebote HAS530M12BM3 nach Preis ab 2205.76 EUR bis 2205.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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HAS530M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A FET Feature: Silicon Carbide (SiC) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HAS530M12BM3 |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
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