HAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Hersteller: Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 1853.58 EUR |
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Technische Details HAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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HAS530M12BM3 | Hersteller : Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
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